Das Hexagallan [Ga6{SiMe(SiMe3)2}6] und das closo‐Hexagallanat [Ga6{Si(CMe3)3}4(CH2C6H5)2]2: der Übergang zu einem ungewöhnlichen precloso‐Cluster
Aus der Reaktion von “GaI” mit den entsprechenden Silaniden wurden das closo‐Hexagallanat [R4(PhCH2)2Ga6]2— (R = SitBu3) sowie das Hexagallan Ga6R6 (R = SiMe(SiMe3)2) mit nur sechs Gerüstelektronenpaaren...
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| Hauptverfasser: | , , |
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| Dokumenttyp: | Article (Journal) |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
20 January 2004
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| In: |
Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie
Year: 2004, Jahrgang: 630, Heft: 2, Pages: 319-323 |
| ISSN: | 1521-3749 |
| DOI: | 10.1002/zaac.200300338 |
| Online-Zugang: | Verlag, Volltext: http://dx.doi.org/10.1002/zaac.200300338 Verlag, Volltext: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/zaac.200300338/full 
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| Verfasserangaben: | Gerald Linti, Stella Çoban, Dimple Dutta |
| Zusammenfassung: | Aus der Reaktion von “GaI” mit den entsprechenden Silaniden wurden das closo‐Hexagallanat [R4(PhCH2)2Ga6]2— (R = SitBu3) sowie das Hexagallan Ga6R6 (R = SiMe(SiMe3)2) mit nur sechs Gerüstelektronenpaaren... |
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| Beschreibung: | Gesehen am 15.03.2018; im Titel ist "2", "3", "4", "5", "6" tiefgestellt |
| Beschreibung: | Online Resource |
| ISSN: | 1521-3749 |
| DOI: | 10.1002/zaac.200300338 |